محمد جواد ملکی؛ محمد سروش؛ غلامرضا اکبری زاده
چکیده
در این پژوهش، با استفاده از نانو نوارهای گرافنی بر روی دی اکسید سیلیکون، یک کانال پلاسمونی با محصورکنندگی زیاد برای هدایت پلاسمون پلاریتون های سطحی طراحی شده است. با تنظیم پتانسیل شیمیایی گرافن می توان گذردهی کانال را کنترل کرد. نتایج شبیه سازی نشان می دهند با اعمال ولتاژهای 1/5 و 8/3 ولت به نانو نوار گرافنی می توان پتانسیل شیمیایی 0/1 ...
بیشتر
در این پژوهش، با استفاده از نانو نوارهای گرافنی بر روی دی اکسید سیلیکون، یک کانال پلاسمونی با محصورکنندگی زیاد برای هدایت پلاسمون پلاریتون های سطحی طراحی شده است. با تنظیم پتانسیل شیمیایی گرافن می توان گذردهی کانال را کنترل کرد. نتایج شبیه سازی نشان می دهند با اعمال ولتاژهای 1/5 و 8/3 ولت به نانو نوار گرافنی می توان پتانسیل شیمیایی 0/1 و 0/5 الکترون ولت را بدست آورد و تلفات کانال را از 88/23 تا 0/91 دسی بل بر میکرومتر تغییر داد. بر این اساس، دو حالت صفر و یک منطقی و عمل کلیدزنی را می توان تحقق بخشید. ضریب شایستگی 975/43 نشان می دهد که نسبت خوبی بین محصورشدگی پلاسمون های سطحی و تلفات انتشار آنها برقرار است. طول تزویج 99/1 میکرومتر نشان می دهد که می توان نشتی توان به کانال مجاور را کنترل کرد و اندازه کوچک رمزگشا پیشنهادی که برابر 1/92 میکرومتر مربع است اهمیت کنترل نشتی توان را بیان می کند. نسبت تمایز رمزگشا 45/73 دسی بل است که توانایی افزاره در تفکیک سطوح منطقی یک و صفر را نشان می دهد. مقایسه ساختار بدست آمده از این پژوهش با کارهای دیگر تایید می کند که طرح پیشنهادی توانسته است بهبود عملکرد رمزگشا نوری را نتیجه دهد.
محمد جواد ملکی؛ محمد سروش؛ غلامرضا اکبری زاده
چکیده
در این پژوهش، با طراحی یک موج بر پلاسمونی با محدودکنندگی قوی، یک کلید کوچک الکترواپتیکی طراحی و شبیه سازی می شود. با استفاده از یک برجستگی سیلیکونی در نزدیکی گرافن و تنظیم پتانسیل شیمیایی آن، یک کانال پلاسمونی ایجاد می شود که بسته به مقدار پتانسیل شیمیایی گرافن، گذر سیگنال نوری را کنترل می کند. با اعمال پتانسیل شیمیایی 0/1 و 0/5 الکترونولت، ...
بیشتر
در این پژوهش، با طراحی یک موج بر پلاسمونی با محدودکنندگی قوی، یک کلید کوچک الکترواپتیکی طراحی و شبیه سازی می شود. با استفاده از یک برجستگی سیلیکونی در نزدیکی گرافن و تنظیم پتانسیل شیمیایی آن، یک کانال پلاسمونی ایجاد می شود که بسته به مقدار پتانسیل شیمیایی گرافن، گذر سیگنال نوری را کنترل می کند. با اعمال پتانسیل شیمیایی 0/1 و 0/5 الکترونولت، تلفات کانال به ازای بسامدهای 25 تا 45 تراهرتز از 78/03 تا 0/23 دسی بل بر میکرومتر تغییر می کند. اندازه ساختار برابر 0/057 میکرومتر مربع است که نسبت به ساختارهای مشابه کوچک تر است. اندازه کوچک ساختار یکی از نیازهای اساسی در طراحی مدار مجتمع نوری است. این ویژگی همراه با طول تزویج 218/2 میکرومتر و ضریب شایستگی 1246 نشان می دهد که پلاسمون های سطحی به خوبی در کانال طراحی شده محدود و هدایت می شوند. با توجه به نتایج به دست آمده، کلید پلاسمونی طراحی شده را برای کاربردهای آنالوگ و دیجیتالی مختلف می توان پیشنهاد داد.